온세미가 버티컬 질화갈륨 전력반도체를 공개했다고 4일 밝혔다. 이 기술은 AI 데이터센터와 전기차, 재생에너지 등에서 전력 밀도와 효율, 내구성을 개선한다. 온세미는 독자 GaN-on-GaN 기술을 적용해 화합물 반도체 내 전류를 수직으로 흐르게 하는 구조를 구현했다.버티컬 GaN은 단일 다이에서 1200V 이상 고전압을 처리한다. 고주파에서 고전류를 스위칭하도록 설계돼 전력 손실을 최대 50%까지 감소시킨다. 이를 통해 고주파 동작 시 인덕터와 커패시터 등 수동부품 크기를 줄일 수 있다. 기