반도체 산업이 3나노 이하 공정 시대로 본격 진입하면서 새로운 소재 전환의 분수령에 섰다. 그동안 반도체 인터커넥트 금속의 표준으로 자리잡았던 텅스텐이 물리적 한계에 직면하면서 몰리브덴이 차세대 대안으로 급부상하고 있다.세미컨덕터엔지니어링에 따르면 현재 텅스텐 인터커넥트는 디램과 3D 낸드에서 확장성 한계에 근접했다. 텅스텐은 디램에서 데이터를 읽고 쓰는 선로인 워드라인, 3D 낸드에서는 적층 사이를 연결하는 부품, 논리회로 내 전기 연결부에 사용된다. 반도체 미세화 요구에 따라 점